http://www.haojdwx.cn/Article/ShowInfo.asp?InfoID=790'>PDP控制电源的设计分析-2-转载

地址驱动电源V_a和屏驱动电源V_s 
            此两路电源功率都比较大而且受控，因此采用两路相同结构的独立双管双正激变换器。我们以地址驱动电源V_a为例进行设计，该路功率为120W，输出55～65V_dc(可控)，自动设置，V_a=55+5×V_ra，V_ra为参考电压，在0～2V之间，由http://www.haojdwx.cn/Article/ShowInfo.asp?InfoID=790'>PDP提供。当V_ra为2V时，对应V_a的输出为65V。其控制电路采用SG3525芯片，把V_ra电压经过分压和滤波处理后加到SG3525的1脚上对输出电压控制。主拓扑采用双管双正激变换器，特点是器件应力小，不存在剩磁问题，电路简单，避免直通问题，图4为双管双正激变换器的原理电路。
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    图4　双管双正激变换器的原理电路 
    
    在图4中，PFC_out为功率因数校正的输出，为400V。每路正激变换器由两只MOSFET构成，这种双管正激可降低开关管耐压要求。与单正激变换器相比，双正激变换器在使输出功率增大的同时还带来如下好处:①输出滤波电感工作频率为两倍开关频率，这使得其大小相对减小;②变压器原副边变比为单正激的两倍，可选用低耐压的输出整流二极管。实际使用的开关频率为80kHz，开关管驱动采用脉冲变压器耦合隔离方式，这样可减小主电路对控制电路的干扰。每只MOSFET附近的RCD电路为吸收缓冲电路，可以有效吸收开关过冲，其参数值由开关频率和实际电路决定。当P_o(单路)=65W时，其磁性元件设计如下：