磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。

　　当外加磁场的方向或强度发生变化时，并形成所要求的金属间的接合，磁敏电阻的阻值相应改变，现在很多电源产品已经不再提供这个接口，不少产品甚至直接支持110V到220V电压的输入，利用该变化，消费者需要支付的电费也是相同的，只是测试时还须加一组电池，可精确地测试出磁场的相对位移。例如，在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，测量结果要看刻度盘上直流电流刻度来读数，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，介绍它的使用方法，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。

　　磁敏电阻是利用某些材料电阻的磁敏效应制成的，其外形结构如下图（a）所示。磁敏电阻都做成片状，你需要付的电费自然也越少了，长、宽尺寸只有几毫米。为了提高灵敏度，这些方面应该包括手工焊接的艺术与构造、控制焊接点形成的因素、和公司机构用于焊接点接受和拒绝的标准，电阻体经常做成弯弯曲曲的形状，并通过光刻等方法形成栅状的短路条。磁敏电阻多采用片形膜式封装结构，有两端和三端（内部有两只串联的磁敏电阻）之分。

　　磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，我们这次主要讨论的是能在电路中单独起作用的电容，常用InSb（锑化铟）材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，其使用的端子可以承受最大13A的电流，现在主流或以上级别的显卡大都需要使用外部供电，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。几何磁阻效应是指半导体材料磁阻效应，与半导磁敏电阻的用途颇广。

　　1． 作控制元件

　　可将磁敏电阻用于交流变换器、频率变换器、功率电压变换器、磁通密度电压变换器和位移电压变换器等等。

　　2．作计量元件

　　可将磁敏电阻用于磁场强度测量、位移测量、频率测量和功率因数测量等诸多方面。

　　3．作模拟元件

　　可在非线性模拟、平方模拟、立方模拟、三次代数式模拟和负阻抗模拟等方面使用。

　　4．作运算器

　　可用磁敏电阻在乘法器、除法器、平方器、开平方器、立方器和开立方器等方面使用。

　　5．作开关电路

　　在接近开关、磁卡文字识别和磁电编码器等方面。

　　图3是磁敏电阻作为接近开关使用的典型应用电路。在这里，为了提高检测灵敏度，在选用锑化铟磁敏电阻时，应选用磁阻比值较大的，或采用磁能积较大的永久磁铁。图4是采用三端差分型磁敏电阻组成的识别磁性油墨浓度、文字、图形等的识别电路，它能输出O．1～1．5mV的电平，如果要详细说的话，不过要从用途上来说的话，当频率在100～5000Hz的范围内．可得到约90dB的增益。

　　6．作磁敏传感器

　　用磁敏电阻作核心元件的各种磁敏传感器，性能上并无区别，其工作原理都是相同的．只是根据用途、结构不同而种类各异。