MOS管驱动电阻怎么选择，两国相战不斩来使，给定频率，MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻

　　首先得知道输入电容大小和驱动电压大小，等效为电阻和电容串联电路，求出电容充电电压表达式，得出电阻和电容电压关系图

　　MOS管的开关时间要考虑的是Qg的，而不是有Ciss，Coss决定，看下面的Data.一个MOS可能有很大的

　　输入电容，但是并不代表其导通需要的电荷量Qg就大，

　　Ciss（输入电容）和Qg是有一定的关系，但是还要考虑MOS的跨导y.

　　MOSFET栅极驱动的优化设计

　　1 概述

　　MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，一人有福带挈一屋，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容：一是最优的驱动电流、电压的波形；二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。

　　2 MOS管的模型

　　MOS管的等效电路模型及寄生参数如图1所示。图1中各部分的物理意义为：

　　（1）LG和LG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。

　　（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。

　　（3）C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容。C2是电介质电容，共值是固定的。而C4是由源极到漏极的耗尽区的大小决定，并随栅极电压的大小而改变。当栅极电压从0升到开启电压UGS（th）时，C4使整个栅源电容增加10%～15%。

　　（4）C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成，当漏极电压改变极性时，其可变电容值变得相当大。

　　（5）C6是随漏极电压变换的漏源电容。

　　MOS管输入电容（Ciss）、跨接电容（Crss）、输出电容（Coss）和栅源电容、栅漏电容、漏源电容间的关系如下：

　　3 MOS管的开通过程

　　开关管的开关模式电路如图2所示，二极管可是外接的或MOS管固有的。开关管在开通时的二极管电压、电流波形如图3所示。在图3的阶段1开关管关断，开关电流为零，此时二极管电流和电感电流相等；在阶段2开关导通，开关电流上升，悬羊击鼓饿马蹄铃，同时二极管电流下降。开关电流上升的斜率和二极管电流下降的斜率的绝对值相同，符号相反；在阶段3开关电流继续上升，二极管电流继续下降，并且二极管电流符号改变，蝇附骥尾而致千里，由正转到负；在阶段4，皮之不存毛将焉附，二极管从负的反向最大电流IRRM开始减小，它们斜率的绝对值相等；在阶段5开关管完全开通，二极管的反向恢复完成，开关管电流等于电感电流。

　　图4是存储电荷高或低的两种二极管电流、电压波形。从图中可以看出存储电荷少时，反向电压的斜率大，并且会产生有害的振动。而前置电流低则存储电荷少，即在空载或轻载时是最坏条件。所以进行优化驱动电路设计时应着重考虑前置电流低的情况，即空载或轻载的情况，应使这时二极管产生的振动在可接受范围内。

　　4 栅极电荷QG和驱动效果的关系

　　栅极电荷QG是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，它可以表示为驱动电流值与开通时间之积或栅极电容值与栅极电压之积。现在大部分MOS管的栅极电荷QG值从几十纳库仑到一、两百纳库仑。