一、高压包之作用。
高压包，正名是行输出变压器，有人称为行包或行变，在显示器中其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、G1等各路电压。注意偏转电流之能量提供者并不是高压包，而是S校正电容，在行管截止时，B+电压通过高压包、偏转线圈对S电容充电，电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温高频率高电压大电流之状态，加上外部环境潮湿或多尘等因素影响，使高压包损坏几率较高。
二、引起高压包损坏之病灶。
1、包内高压滤波电容击穿。
2、包内高压线圈匝间短路。
3、包内高压硅堆漏电或击穿。
4、包内初次级线圈短路
5、包内聚焦组件老化，使聚焦及加速电压不稳定。
6、包体绝缘性能下降，使高压包对内或对外打火。
三、与高压包相关之关键词。
1、HV——阳极高压。随着显示器尺寸不同，HV电压也不同。通常14/15寸机之HV值是24KV到28KV；17寸机是29KV，19寸和21寸机是31KV到35KV。
2、FV——聚焦电压，有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得，电压值是3KV到9KV。如果是双聚焦之，就分为FV1和FV2，其实是内部多设一组电位器而已。
3、SV——加速极电压，也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得，其电压值是300V到800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压，而是在包内另设绕组，或在行管C极将逆程峰值整流获得，这样做之目之是使SV/G2受到电路控制，方便工业装配。注意在行管C极整流时获得SV/G2电压时，必须采用高速整流管，否则响应不到逆程峰值，只能得到与B+一样之电压。
4、DF——动态聚焦。显示器尺寸增大时，屏幕中央和四周之聚焦就容易变得不均匀，就需要加入动态聚焦电路，使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中，动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。
5、SFR——包内聚焦组件中之FV/SV调整电位器冷端，通常是接地之，但有些机型将其用作信号取样，在高压变动时使电路作出补偿。
6、HVR——包内HV端取样电阻之冷端。此电阻直接取样于HV端，阻值大到必须兆欧表才能万用表测量。其作用也是HV变动检测。
7、HVC——包内高压滤波电容之冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样，检测高压变动。
8、G1——栅极负电压。通常在包内绕组获得，G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压可控制光栅亮度，进入显象管之G1电压是-30V到-100V，关机消亮点通常也在G1控制电路内完成，使关机时G1负压变低，显象管就被截止了。注意有些机型之G1电压�**潭ㄖ踔潦墙拥刂侵炼瓤刂品绞绞歉谋淙挂跫缪梗鼗恋惴绞绞撬布浣档鸵跫缪梗庹に彩备吡粒哐故头诺簟Ａ街至炼瓤刂品绞礁饔杏帕樱髦艷1可得到较大之亮度范围，但期间白平衡不均匀；调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定，但范围较小。
9、AFC——行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制，在显示器中，送入扫描芯片之同步信号、CPU需要之行检测信号和OSD菜单所需要之行脉冲，都泛指为AFC。AFC取样可以在高压包内绕组输出，也可以在行管C极用分压电压取得，后者故障率较高。
10、FB——高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回，也就是行回扫脉冲，在显示器中，FB电压常作为高压包输出电压之参考点，反馈回二次电源，实现B+电压稳定输出。有时FB信号也与AFC信号混在一起，并没有特别要求要独立取样。
11、ABL——自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组之冷端，用来检测HV之电流大小，当亮度过大时，HV电流必然增大，ABL电路检测到这个情况，就可作出反应限制亮度再增加。建议检修人员配备100K电阻量程之万用表（MF10型）或兆欧表，就可万用表测量ABL端到HV帽之电阻，来判断高压硅堆是否有短路或漏电；又可以万用表测量包内高压电容是否漏电。注意10K电阻量程没有法万用表测量高压硅堆和高压电容。
12、初次级绕组——接在高压包B+输入端和行管端之就是初级线圈，其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多，发生故障几率非常小；而次级高压线包之线径极小而匝数极多，就容易发生匝间短路。
13、电感量——交流电流通过线圈而产生之感抗就是电感量。对直流电而言，线圈之阻抗为零（忽略线材本身之电阻率），但对于高频信号，三几圈之感抗也很大。电感量之单位是ML（毫亨）。
14、正程和逆程——简单之说行管导通时就是扫描正程，截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包（正程时高压包储能，逆程时释放能量）。
15、正程和逆程整流——由于正程和逆程之峰值相差8到10倍，因此一个绕组采用不同之整流方式，所产生之电压值也就相差8到10倍。正程整流之电压低但电流大；逆程整流之电压高而电流小，但两者之输出功率相同。
16、绕组之极性——因为扫描正程和逆程之峰值不同，绕组之输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动，那么绕组之极性是厂家在引脚中已经决定了之；如果要在磁芯中加绕线圈，就不能不注意其极性了。以800*600*60之分辩率即37K行频，在磁芯中绕一圈为例，将高压包引脚朝下，磁芯对着自己，则左边之线头是正端，右边之线头是负端。将负端接地，在正端接以正整流可得到约20V电压，接以负整流可得到-3V电压；将正端接地，在负端接以正整流可得到3V电压，接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚，在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流，反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同，但具体差距并不太大，在绕线估算电压时可以作为参考。
17、高压独立——高压包和行偏转分离之电路形式。在传统行输出电路中，高压电流和偏转电流都要经过行管，使之负担较重，故障频生，于是新型之设计将高压电路独立出来，可以设计出更高效之电路形式，实际上高压独立之高压开关管损坏机率非常低。
18、高压独立之电路结构——现在之高压独立电路大约有5种类型。
1）采用二次电源调整之单管输出形式。以SONY-200GS为例，170V电压经过二次电源降到约80V输入高压包，开关管一只单独之场效应管，这种方式与传统之行输出相类似。
2）没有二次电源之单管输出形式。以SONY-E220为例，80V电压直接输入高压包，开关管是一只单独之场效应管，这种方式要求开关管之激励控制电路，能控制较大之占空比，以得到较大之高压调整范围。
3）采用高电压之****对称输出方式。以EMC/CTX等机型较多采用，180V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管，该管导通时初级线圈储能；在初级线圈两端反接一只P型场效应管，输入反相之激励，在N型管截止时它就导通，将初级线圈能量快速释放，次级就感应出电压。
4）采用低电压之双管对称输出方式。以飞利浦旧机芯较多采用，80V电压直接输入高压包，再接入一只N型场效应管；另外在高压包设一个绕组，其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路，一路驱动初级线圈开关管，使之导通时高压包储能；另一路倒相后驱动另外一只管，使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间之关系是一只导通则另一只截止。
5）采用储能变压器之****输出方式。这种方式 为复杂，以三星、DELL旧机芯较多采用。190V电压先输入一只普通行管之C极，B极加以行激励，E极就输出以行频变化之方波，峰值仍是190V，之后进入储能变压器再到场效应管，另外行管E极也接到高压包初级，由高压包出来后以一只放电电容接回行管C极。在场效应管导通时变压器储能，在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化之方波，提高效率，作用与一只二次电源管相当，真正之开关管是场效应管。
19、高压独立高压包之绕组特点——由于在高压包内之电流近似于方波，效率很高，它之初级绕组圈数就设计得较少（比传统高压包初级少1到3倍匝数）；同时由于正程和逆程之差别较小，那么在磁芯上绕取线圈所得到之电压就有所不同，与上述15、16项对比，没有论绕组在哪头接地，没有论正整流还是负整流，所获得之电压值基本一样（类似于市电之交流变压器输出），也正是由于其初级匝数少，按照感应比例，次级每匝将获得较高之电压，在800*600*60分辩率下，每圈之电压是6V到8V，比传统高压包在正程时每圈仅获得3V之电压值要高。
四、如何判断高压包是否损坏。
根据高压包病灶之6个类型，损坏后之症状略有不同。
1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏之 大成因，大约有四成之高压包损坏与它有关。包内高压电容之容量约为2700P，比显象管锥体所形成之电容1600P高一些，两个电容并联在一起总容量就有4300P以上，可以帮助减少屏幕之呼吸效应。由于包内高压电容之绝缘介质之绝缘强度远及不上显象管之玻璃，而且电极间距小，当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零，而是通常出现数千欧到数百千欧之阻值。这是因为电容内之绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值，将万用表设10K档，测高压帽对地或对HVC端之阻值，好时为没有穷大，如出现阻值，可判断包内高压电容击穿。高压电容击穿后使HV输出短路，开机则行电流巨大，通常会锁机或出现间歇啸叫，并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后，在通电瞬间绕组电流剧增，ABL端子所外接之电阻通常会过流烧焦，这是一个判断其损坏之明显表徵。
2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏之原因，由于包内次级短路，造成行电流大增，轻则锁机保护，重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生，因此包体发热严重，很容易判断。如果被保护快速锁机，就用低行压供电使其继续工作，诱使故障病灶出现，而且行电流不至于巨大，行管还是安全之。
3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后，不经整流之交流高压加在滤波电容上，但电容不能隔离交流电压，其结果相当于短路，与高压电容击穿所造成之表象很接近，相比之下症状要轻一些，所以通常高压硅堆损坏后，ABL电阻并不一定烧毁，但行电流一样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢？只能使用兆欧表或带有100K量程之万用表，将黑笔接地或ABL端（如果高压包已拆离电路，就只能黑笔接ABL端），红笔接高压帽，好时会有10兆欧左右阻值，（高压硅堆导通之内阻），将表笔对调，万用表测量时表针会划动一下就归零，（包内高压电容充放电），如果测得阻值较低（小于5兆欧），就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。
4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了，B+被直接短路到地了，结果与行管击穿一样。
5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观，就是聚焦电压或加速电压不稳，随着开机时间延长，图像聚焦越来越差。在排除了管座、G2滤波电容及机内潮湿漏电后，故障仍然存在，就可以肯定聚焦组件损坏了。
6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生，表现为包体对外放电，轻则产生小电弧有嘶嘶声，重则电弧大并有啪啪声；如果包体对内打火，就只听到啪啪声而没有电弧产生。因为高压放电，HV电压瞬音下降，势必造成图像大小变动，甚至锁机或烧行管等。
五、高压损坏后之补救工作。
高压包之有些损坏情形是可以补救之，在这里简单说一下。
第5类损坏情形，聚焦组件老化。现在大家可以买到一种单焦或双焦之外接聚焦器，其中双焦之还带DF动聚输入。它之原理与包内聚焦组件一样。注意将聚焦组件取代后，原来之线头要做好绝缘处理，用热熔胶封口即可。
第1类损坏情形，高压电容击穿。记得四五年前，显示器高压包奇缺，而且当时大部分高压包之HVC端都是接地之，这就给高压包修补带来很大之空间，我当时潜心钻研此技术，终于获得成功，仅02年一年，就修补了200多只高压包，只要HVC端是接地之，修补成功率就是。不过返修率也颇高，半年内达百分之四十，为什么会这样呢？下面再说。在测得高压帽对地电阻很低，并且HVC端接地后，就可大胆将高压包挖补修复。方法很简单，就是将损坏之高压电容去掉。用电钻对着HVC端钻孔，钻头大小随意，一般我用6到8MM，顺着HVC端子引线（有时HVC引线会横着走到其它地方，不理它跟着找到尽头）打孔深度不能超过1CM，否则打穿了高压电容内层，在填充绝缘物时就会不断冒出气泡，造成修补失败。打孔之目之是将HVC端与外界隔离，使高压封在包体内。打好孔后就是 后也是 重要之一环——填充绝缘物。我用之是环氧树脂，与高压包内所用之物料一样，当然级别就差多了。将高压包倒着垂直放置，使引脚水平，倒入调配好之环氧树脂，份量 好是将引脚3MM以下全部封住（目之是使HVC端距离外界更远一些），一天后可完全硬化，两天达到 大强度，就可以上机使用了。
造成修补后返修率高之并不是修补方法本身，而是我使用之填充物——环氧树脂。现在市面上买不到与高压包内所用之同级之环氧树脂，这些高级别树脂可抵受10万伏高压，我能买到E-44级之树脂，绝缘强度勉强够，但如果调配比例稍有误差，强度就会下降，被高压击穿就在所难免了。大家如果能找到更好之绝缘物料，修补方法根本是万试万灵。现在高压包来货越来越多，而且价格很便宜，如果能买到包，修补就不要考虑了。也许大家会问，如果HVC端不接地，可否修补呢？其实是可以之，问题是如果HVC端是信号取样，去掉后必须要另找替代取样，或增加高压电容获取HVC端子，或在高压包磁芯上绕线匹配后取得信号，其麻烦程度还不如改一只包算了。
六、改高压包之准备工具。
1、电容电感表。 要紧之是电感表，可以万用表测量原包与改包之绕组电感量，如果两者所有绕组电感量相差在10%以内，则成功率非常高。
2、万用表。（这是句废话了，拿烙铁之哪个没有表啊？），我想说之是， 好配备有100K电阻量程之表。
3、50V/2A之外部直流电源。之所以用50V之电压，是因为该电压值较安全之余，还能产生勉强够之高压，让屏幕有显示，如果还有其它之故障隐患，便可在故障扩大之前看到并加以解决。
七、改高压包前之资料搜集。
1、高压包之引脚功能定义。
高压包一般是10个常规引脚，外加聚焦组件之2到5个引脚。将高压包引脚面向自己，U型口朝下，顺时针数分别是1到10脚。一般高压包引脚定义如下：
B+/+B——高压包初级线圈之输入端，接二次电源之输出。
+B2——高压初级线圈之输入端抽头，没有二次电源之机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下之高压稳定。一般用于较旧款之显示器，如ACER-34T。
+B3——高压初级线圈之输入端抽头，没有二次电源之机型就在高压包内设多个抽头，以保持不同行频下之高压稳定。一般用于较旧款之显示器，如ACER-34T。
VCP——高压包初级线圈之输出端，接行管。
D/C——接阻尼管和逆程电容。大家不要被这个引脚吓倒，其实只是高压包初级线圈之抽头，通常距离VCP端只有2到3匝，用来改善阻尼线性，
GND——接地。
NC——空脚。（内部空脚或外部不用此引脚）
G1——负压100到200V输出。在包内绕组约10匝。
AFC——行逆程脉冲输出。在包内绕组通常是2匝，电压峰值约35V。
FB——二次电源取样输出。在包内绕组通常是3匝，电压峰值约50V。
+5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+。
-5V——行中心调整电压。在包内绕组2匝，冷端接B+。
ABL——内接高压线圈之冷端。
300V——动聚电路之供电。电压值是200到600V。有时在包内绕组输出，有时在行管C极整流获得。
DF——动态聚焦电压输入端。
SFR——包内聚焦组件中之FV/SV调整电位器冷端，通常是接地之，但有些机型将其用作信号取样。
HVR——包内HV端取样电阻之冷端。此电阻直接取样于HV端。
HVC——包内高压滤波电容之冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样。
FVR——包内聚焦极取样电阻之冷端。高档机所独有，用来检测FV电压。
2、提取原机高压包之资料。对照包体引脚和电路板或电路图分析原包数据，如果电路基础较差不能作出分析，就绝对不要改包了。
1）、确定原机高压电路是否高压独立。这很重要，因为高压独立之高压包初级绕组匝数较少，并且侧引脚通常不接地，而用作取样信号。如果换上不是高压独立之包，肯定不成功。反之，用高压独立之包换入非高压独立之电路，开机肯定会因初级绕组匝数少而高压过高，产生打火并可能扩大故障。高压独立之高压包将在后面另行分析。
2）、用万用表万用表测量并记录原高压包之通脚。
3）、对照电路板记录原高压包之脚位功能。如果电路板上没有标记，就要进行分析，方法如下：
接行管之就是VCP脚，通常高压包之第1脚就是VCP，但有些机型如飞利浦，VCP可能在第9或10脚，分析时只要认准行管C极所接之脚就行。
接阻尼管或逆程电容之就是D/C脚，大部分电路之阻尼管和逆程电容都与行管C极接到一起，如果待修机之阻尼逆程与行管分开又怎么办呢？其实D/C脚对电路之影响微乎其微，改包时如果新包没有D/C脚，可将阻尼逆程与行管并接，不会有任何问题。
接二次电源输出之就是B+脚，注意行中心校正电路需要以B+为中点，有些电路就会有两路B+输入，分析只需将高压包拆离电路，认准与VCP端相通之引脚即可。
通过二极管整流，包括正负整流，而其滤波电容与B+相接之，就是+5或-5V引脚，由于这一电路只用于行中心之调整，使光栅（注意：并非是图像）于屏幕正中显示，所以完全可以忽略该引脚，新包如有此脚之，接上没有防，如没有，就将其电路悬空。实际上很多机型都取消了行中心调整电路了，图像之左右偏移靠控制行场扫描芯片之行相位就有很大之范围。
接地之当然是GND。
没有外接电路之就是NC脚，NC脚可能是内部没有通路，也可能是外部没用上该引脚；另外有一种NC方式是它在包内有绕组，但在电路上只有少许零件，如小容量电容和较大电阻接地，跟着接一根线引到显象管周围，之后又再没有去向，这样之电路作用是检测高压泄漏，但我想X射线保护电路本身在工作就行了，再附加这样之线路没什么用，并且改包肯定会变动原电路之啦，所以我也称这种脚为NC脚，改包时碰到这种电路，就将它悬空。
通过二极管作负整流并且其滤波电容正极接地之就是G1脚，G1脚比较容易辩认，其滤波电容容易干涸漏液，大家都换过不少了。有时候G1脚在整流前会外接高压泄漏检测线，经常圈在高压帽周围，与高压很接近。我有点不明白这种设计有什么好处，当天气潮湿高压帽出现打火时，G1脚首先就串入了高压，其结果是整流管击穿，甚至滤波电容爆炸，由于G1负压消失，光栅就会高亮，并且关机有高亮点，用户不明白这种故障之遗害，蒙懂间开关多几次机，显象管正中央就烧伤出黑点了。厂家这样设计是保护显象管，还是在制造机会损坏它？见人见智了。
与包内任何引脚不相通并且外接一只0.1U到1U电容到地之就是ABL脚，ABL脚是改包时唯一不用头疼之引脚，所有高压包之ABL脚都一样，绝对不用担心改后与电路不匹配。
通过二极管作正整流并且其滤波电容耐压很高之就是DF供电脚，DF供电脚电压多数是250V到350V，实际上该电压允许有较大之偏移，可以相差30%而对动聚没任何影响。DF供电脚由于电压较高，其绕组多数会与B+相串联，这样就可以减少线圈匝数，当然也有之多绕些线，冷端直接到地。
高压包侧引脚之 上面之通常是SFR脚，绝大多数电路会将它接地。
高压包侧引脚之 下面之通常是HVC脚。
如果原高压包只有3只侧引脚，则中间一只肯定是DF脚；如果原包有4只侧引脚，就要分析电路找出DF脚。动聚电路之原理是在行偏转支路中串入变压器，耦合行脉冲到聚焦极中，所以找到与动聚变压器相接之脚就是DF脚，并且它之电压较高，通常会有1KV之滤波电容。
如果原高压包有4只侧引脚，在排除出SFR、HVC和DF脚外，剩下之就是HVR脚了。HVR脚总是与HVC脚组合来取样，HVR取样直流，HVC取样交流，两者或直接并联，或通过阻容元件并联。当然如果原机这些脚都接地，就不用去考虑它了。
AFC脚和FB脚较难分辨，在电路中两者外接零件也很相似,通常是在整流前用阻容网络匹配后作为AFC信号，而整流后则作为二次电源取样电压或X射线保护取样电压，正因为是二次电源之取样，所以必须慎重分析。如果原机只有一支AFC电路，则不需要多费心，如果找到两路相类似之，就可以这样分析，通往CPU、OSD和行场扫描芯片之逆程脉冲肯定是AFC，整流后输入二次电源芯片（可能也是行场扫描芯片）之就是FB。
4）、用电感表万用表测量原高压包之通脚电感量，原则是一定要确定万用表测量点，比如万用表测量初级线圈，就一定要以VCP点为固定一端，再测其与B+或其它脚之电感量；而万用表测量次级线圈，就一定要以GND点为固定一端，再测其与其它引脚之电感量。次级线圈由于有几个绕组，如果确定不了GND端，则其它引脚互测之电感量会被抵消或叠加。有时次级之几个绕组并不一定只有一个GND端，但其在电路上仍会被接地，需要看电路上之走向确定GND端。
5）、原机高压包只有在初次级线圈短路之情况下，才能影响到其通脚电感量，其它如高压电容击穿、硅堆击穿、高压线包短路、打火等都不会影响其原来之电感量。
3、将原机高压包资料包括通脚和引脚功能与新包对比，选择相似度较高之作下一步分析。
1）、新包也就是待改包之资料需要平时用心搜集，特别是引脚功能之搜集，因为通脚之相同基本上决定不了什么，而引脚功能之相同就可以很大程度提高改包成功率。如果通脚与引脚功能完全相同，再测一个电感量，那么这个包改进去能好工作之机会就非常大。这是我平常改包之之首选方案。实在找不出通脚与引脚功能完全一样之包时，才考虑改线或另加绕线方案。我在后面部分会把自己平常搜集之高压包引脚功能，及高压包之直接代换型号上传，这也许正是各位所 希望看到之了，当然了，那只是代用，不用改，放上去就行。
2）、如果没有新包之引脚功能资料，也可以分析得出，这就需要优先选用一些初次级线圈较简单之包来改。比如初级线圈只有B+和VCP两个通脚，如1-2，那么第1脚肯定是VCP端。次级线圈只有AFC、G1和GND三个通脚，如3-4-5或6-8-9等，那么要用到电感表来分辨，下面将有详述。这种包我本人称之为通用型高压包，在其基础上，很容易加绕出其它功能引脚来。
3）、线圈匝数与电感量之关系。以在磁芯上绕一圈为例，所得到之电感量约为0.003ml，两匝就是0.006ml了，而AFC绕组通常只能两匝，也就是说AFC电感量为0.006ml，所得到之峰值电压约36V。如此类推，G1电压约-200V，所需绕线约10匝，电感量约0.04ml；FB绕组通常绕3匝，电感量约0.009ml。以上数据会因磁芯磁通量大小而有误差，具体践作可在该磁芯上绕一圈线测其一匝电感量，得到基本数据后就可能推断包上其它引脚之功能了。
4）、将所有信息汇总到草图上，分析得到两只包之数据如果相距不大，就可以上机试验改用效果了。
